| Tản nhiệt | Có hiệu quả |
|---|---|
| Vật liệu | Gốm sứ, SiC, Al₂O₃, SiO₂，Al₄C₃ |
| Độ bền | Mãi lâu |
| Chống nhiệt độ | ＜700oC |
| Ứng dụng | Transistor, MOSFET, Diode Schottky, IGBT, Nguồn điện chuyển mạch mật độ cao, Thiết bị truyền tín hiệ |
| Trọng lượng | Đèn nhẹ |
|---|---|
| Tản nhiệt | Có hiệu quả |
| độ nhám bề mặt | 0,3-08 Ừm |
| Mật độ | 3.7g/cm^3 |
| cường độ cách nhiệt | ≥15KV/mm |
| Vật liệu | Gốm sứ, SiC, Al₂O₃, SiO₂，Al₄C₃ |
|---|---|
| cong vênh | ≤2‰ |
| sức mạnh cơ học | ≥3000MPa |
| Tản nhiệt | Có hiệu quả |
| Độ bền | Mãi lâu |
| Trọng lượng | Đèn nhẹ |
|---|---|
| Kích thước | Có nhiều kích cỡ khác nhau |
| Khả năng dẫn nhiệt | 9~180 MW/mK |
| độ nhám bề mặt | 0,3-08 Ừm |
| cong vênh | ≤2‰ |
| Khả năng dẫn nhiệt | 9~180 MW/mK |
|---|---|
| cong vênh | ≤2‰ |
| Độ bền | Mãi lâu |
| Chống nhiệt độ | ＜700oC |
| sức mạnh cơ học | ≥3000MPa |
